半導体デバイス工学 研究室

半導体デバイス工学 研究室 / 中村 徹 教授

■ 研究テーマ　「電子の速度の限界に挑戦」

「電気の速度の限界に挑戦」
私たちが日常使っているコンピュータは年々高速そして高機能となり、また携帯機器はより小さく、低消費電力となっています。
これらの電子機器の高性能化はその内部に使われている半導体デバイス技術の進歩に依っているといっても過言ではありません。
本研究室では、ハイブリッド自動車、通信機器に用いられているパワー半導体デバイスおよび高周波半導体デバイスの高性能化に関する研究を行っています。
具体的には、今までよりももっと高性能な、そして新しい構造のトランジスタはどうあるべきかという研究です。
トランジスタの種類としては、携帯電話などに用いられている化合物半導体を用いたＨＥＭＴや、最近注目を集めているワイドギャップ半導体材料を使った新しいトランジスタの研究も進めています。 高耐圧、高周波動作が可能なワイドバンドギャップ半導体を用いた新しいトランジスタを研究中です。

■ 学会での発表風景

得られた成果は積極的に国内および国際学会で発表しています。