電子材料工学 研究室

電子材料工学 研究室 / 山本 康博 名誉教授

■ 研究室紹介

単純なSiバルク材料では高度情報化社会を担う情報伝達・処理システムに要求される半導体電子デバイス を実現出来ない時代が目の前に迫っています。私たちの研究室では材料間の化学反応や格子不整合に制限 されることなく、絶縁物上に薄膜半導体を形成したり、自然界には存在しない周期構造を有する材料を形 成するための、イオンビームと材料との相互作用を利用したエピタキシャル技術や次世代MOSデバイス のための高誘電率薄膜堆積技術の開発を進めています

■ 研究テーマ

＊ IBIEC班
IBIEC(イオンビーム誘起エピタキシャル結晶成長) はイオンビームを用いた結晶成長法です。携帯電話などに欠かせない半導体デバイスを製造する工程で用いられる再結晶化は、通常高温で熱処理することで行われますが、IBIECはイオンビームにより結晶成長を促すことで低温での再結晶化が可能となります。私たちの研究班では、高速動作が期待される半導体の一つであるSiGeのIBIECについての研究を行っています。 ＊ スパッタ班
スパッタ班では、スパッタリングという成膜方法を用いて膜を堆積させています。スパッタリングとは、イオン化した不活性ガス（本研究室ではArガス）をターゲットに衝突させることにより、ターゲットから飛び出たターゲット粒子を基板に成膜する手法のことです。 こちらは、成膜中のチャンバーと呼ばれる実験を行う部屋の中の様子です。不活性ガスを高い電圧をかけると、プラズマが発生するのでチャンバーの中が青白く発光しています。 ＊ CVD班
CVD（化学気相成長）法とは、薄膜を形成する蒸着法の1つです。石英などで出来た反応管内で加熱した基板上に、目的とする薄膜の成分を含む原料ガスを流し、基板表面での熱反応により薄膜を堆積する方法です。熱を利用するため他の堆積法に比べ堆積速度が速いのが特徴です。この方法で堆積した薄膜をTEM（透過型電子顕微鏡）等の解析法で研究しています。 左の画像は実際に堆積させた薄膜です。

■ 研究成果、学会活動等

研究成果は班ごとに発表を行ったり、年に1、2回日本の各地で行われている学会や海外で行われている国際会議に出席し発表をしています。
写真はフランスで行われたe-MSRという国際会議発表したときのものです。

■ 研究室行事

私たちの研究室では年に数回、先生方と一緒にバーベキューや鍋パーティーなどのイベントを行っています。